Исследователи добились управляемого синтеза высококачественных монокристаллов диоксида ванадия  (VO2) на трехмерных наноструктурах кремния, а также  селективного роста массивов наноколец VO2. Эти результаты могут использоваться для создания высококачественных логических наноэлементов в нейроморфных компьютерах, «умных» метаматериалов, сенсоров и оптических фотонных устройств. Авторская технология  основана на широко используемой кремниевой технологии, что открывает перспективы для быстрого промышленного внедрения. Работа сотрудников Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) и  Института неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (ИНХ СО РАН) поддержана Российским научным фондом, результаты опубликованы в журнале CrystEngComm.

 «Мы формируем практически все элементы приборов из кремния, используя кремниевую технологию, и только на финальном этапе, в заданных местах: на кремниевых  наноплощадках или иглах синтезируем монокристаллы VO2. Такой подход открывает возможность массового формирования высокоточных, дешевых VO2 наноприборов», — объясняет соавтор статьи заведующий лабораторией физики и технологии трехмерных наноструктур ИФП СО РАН член-корреспондент РАН Виктор Яковлевич Принц.

По материалам пресс-службы ИФП СО РАН