Инициатор
АО «Экран — оптические системы» — российский разработчик и производитель электрооптических преобразователей (ЭОП) и фотоэлектронных умножителей (ФЭУ) для техники ночного видения и для космических, ядерных и медицинских исследований.
Основные сведения о предприятии АО «Экран — оптические системы»:
- более 55 лет опыта разработки и производства ЭОП и ФЭУ;
- более 400 сотрудников, включая инженеров, конструкторов и технологов высшей квалификации;
- доля в российском экспорте ЭОП и ФЭУ — более 70%;
- более 95% выручки предприятия обеспечивает экспорт продукции в дальнее зарубежье;
- в тесном сотрудничестве с институтами СО РАН предприятие ведет разработку новых технологий и материалов.
О проекте
Цель проекта — создание высокотехнологичного и экономически рентабельного контрактного производства полупроводниковых гетероструктур и полупроводниковых приборов на их основе.
В результате выполнения проекта на предприятии АО «Экран — оптические системы» будут созданы следующие технологии и производства:
- Контрактное производство полупроводниковых гетероструктур на основе арсенидов металлов третьей группы мощностью до 10 тысяч пластин гетероструктур в год.
- Контрактное производство полупроводниковых гетероструктур на основе нитридов металлов третьей группы мощностью более 7 тысяч пластин гетероструктур в год.
- Кристальное производство полупроводниковых компонентов элементной базы силовой электроники на основе гетероструктур нитрида галлия собственного производства.
Участие в проекте в качестве партнера ИФП СО РАН является сильной стороной проекта. Модель сотрудничества включает заключение лицензионных соглашений и прямой трансферт в производство готовых технологических решений, а также партнерство в выполнении целевых НИР — НИОКР на разработку новых полупроводниковых материалов.
Продукт
Проект предусматривает организацию промышленного производства на площадях АО «Экран — оптические системы» следующей продукции:
- Полупроводниковые пластины с гетероструктурами на основе арсенида галлия и нитрида галлия — основа для изготовления транзисторов и интегральных микросхем сверхвысоких частот, а также элементов для космической техники, лазеров.
- Номенклатура электронной компонентной базы для силовой электроники, изготовленная на основе нитрида галлия.
Проектом предусматривается освоение значительной доли отечественного рынка потребления пластин полупроводниковых гетероструктур для СВЧ-электроники, а также экспорт продукции за рубеж.
Производственный процесс по выпуску гетероструктур базируется на использовании высокоавтоматизированных промышленных установок для молекулярно-лучевой эпитаксии.
